東芝和Hynix未雨綢繆 研發(fā)新一代MRAM產(chǎn)品
zhuyu 發(fā)表于：11年07月13日 17:54 [編譯] DOIT.com.cn
今天，東芝和海力士（Hynix）宣布一條劃時代的信息：正式在MRAM（Spin-Transfer Torque Magnetoresistance Random Access Memory，自旋扭矩轉換磁性抵抗型隨機存儲器）技術領域進行合作。
MRAM打破現(xiàn)在的DRAM存儲介質，通過磁致電阻的變化來表示0和1，這是新一代存儲數(shù)據(jù)的不揮發(fā)性內(nèi)存介質。在性能方面，比起DRAM，具有省電、使用壽命長、存儲密度大和速度快等特點，同時在斷電后不會丟失任何數(shù)據(jù)。
IBM，TDK和東芝公司在存儲介質領域一直扮演先行者的角色，這次的合作，東芝和海力士可謂是在半導體方面的未雨綢繆，及早開展了新一代存儲介質的行動。
此次合作，將兩家公司的研究人員集中在Hynix設在韓國利川的研究部門，共同開發(fā)MRAM，加速實現(xiàn)MRAM技術產(chǎn)品化的目標。
最初的研究方向為將NAND閃存和MRAM組成混合存儲系統(tǒng)，開發(fā)NAND相關新的應用。逐步實現(xiàn)在硬盤和PC內(nèi)存方面應用MRAM技術，以及研發(fā)相應的產(chǎn)品。
這兩家公司雖然沒有透露具體的產(chǎn)品路線圖，但已在產(chǎn)品制造等方面達成合作協(xié)議。
