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10月25日消息，大唐電信集團下屬全資子公司聯(lián)芯科技在參加由國際電信聯(lián)盟(ITU)主辦的“2011年世界電信展”期間透露，該公司將于2012年第二季度推出40納米LTE芯片。

據(jù)了解，聯(lián)芯科技即將推出的40納米LTE芯片可支持TD-LTE/FDD LTE/TD-SCDMA/GGE多模自動切換，支持下行150兆/秒，上行50兆/秒的數(shù)據(jù)吞吐率。在下一階段，聯(lián)芯科技的芯片產(chǎn)品還將向28納米或更高工藝演進。

在“2011年世界電信展”期間，聯(lián)芯科技展示了覆蓋TD-LTE雙模終端、TD智能終端等多個領(lǐng)域的自研芯片及解決方案產(chǎn)品。其中，DTivy L1760 TD-LTE/TD-HSPA雙模終端解決方案，是目前業(yè)內(nèi)首款TD-LTE/TD-HSPA雙�；鶐�處理器芯片，目前采用65納米工藝。據(jù)悉，基于該芯片及方案的數(shù)據(jù)卡產(chǎn)品正在參加工信部和中移動的LTE規(guī)模試驗測試。

在此之前，另一家國內(nèi)芯片廠商展訊通信的董事長兼CEO李力游透露，展訊有望在今年年底前推出基于40納米技術(shù)的LTE芯片。據(jù)悉，展訊已于2011年1月推出全球首款采用了40納米技術(shù)的商用TD-HSPA/TD-SCDMA多模通信芯片。