全球內存市場三巨頭三星、海力士和美光牢牢控制著90%以上的內存市場，不過也正是由于他們具有這么典型的行業(yè)寡頭特點，所以任何風吹草動都逃不過外界觀察和評論。

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內存市場壟斷局面有望被打破

據DRAMeXchange報道，全球內存市場供貨量將降低，這將刺激內存廠商在2014年第四季度擴大產能。

2015年供給量將增長30%，如此之大的需求可能會對幾大廠商的主導地位形成挑戰(zhàn)，尤其是美光，問題主要在于出貨量的給市場造成供大于求的局面，這在一定程度上縮小了制造商的利潤空間。

如果美光的業(yè)務面臨中斷，這將對美光兩大股東安碩費城半導體ETF(SOXX)和若Market Vectors ETF半導體(SMH)造成不利影響。

三星對美光形成的壓力

2014年3月，三星開始大批量生產采用20納米制程技術的動態(tài)DRAM。該技術的運用也將降低生產DDR3內存的制造成本，這將無疑將使得三星繼續(xù)在業(yè)內保持優(yōu)勢。

如上圖所示，三星是業(yè)內唯一一家表示其S3工廠將大幅縮減DRAM生產規(guī)模的公司。三星計劃于2014年年底重啟DRAM晶圓的生產，主要生產用于PC端的DRAM晶圓。2015年下半年，三星預計其S3工廠每月的DRAM產能將達到60k。

作為應對，美光和里還是都宣布計劃擴大產能�，F階段美光的產量占據PC端DRAM整體的25%。如表中所示，美光正集中在高增長的，移動端的、服務器的以及網絡市場。

20nm支撐技術具有經濟性和能效性

三星宣稱其生產的采用20nm工藝的4GB DDR3 DRAM比采用25nm制程的要高30%的生產效率，比采用30nm工藝的生產效率高出一倍。此外，20nm制程與25nm制程相比可節(jié)省25%的能耗。

美光現在生產DDR3 DRAM的生產工藝還停留在30nm，這在生產成本劣勢很大。美光也非常熱衷于從25nm制程遷移到20nm制程。2014年第二季度，美光的20nm制程的產品出貨量超過50%。20nm的NAND閃存產品比25nm的生產成本要低很多，可顯著減少生產成本。

三星率先在DDR3內存的生產中采用20nm技術將對美光形成很大壓力。盡管美光在DRAM市場占據很重要的位置，但從價格和市場都面臨著很大優(yōu)勢。