我們先來看三星的路線圖，然后再深入了解其技術發(fā)展的若干細節(jié)。

目前，三星自主10nm芯片已應用在S8系列手機中，而從這張路線圖中可以看出，風險生產是整個一年的目標，而路線圖左側和右邊緣并不意味著什么。這很重要，因為在某些情況下，塊的左邊緣被讀取為進程的開始，而右邊則表示產品或進程已準備好完成。不同的代工廠意味著不同的東西，有時候，有時使用相同的短語。風險生產、批量生產和實際產品發(fā)布之間的時間間隔將根據有關產品和加速過程的變幻莫測而有所不同。據悉，三星計劃在今年下半年試產8nm工藝，在2018年實現(xiàn)7nm工藝量產，2019年研發(fā)出6nm和5nm工藝，到2020年實現(xiàn)量產4nm工藝芯片。

當Intel指定在給定節(jié)點上進行批量生產時，通常會在1-2個月內啟動部件，而當臺積電、三星或GlobalFoundries宣布批量生產時，下線的芯片仍然需要進入各種設備，然后再經過制造商特定的評估和測試。這也許就是三星在去年10月宣布批量生產10nm SoC（系統(tǒng)級芯片）的原因，但是第一個在設備中使用SoC的是三星Galaxy S8（今年4月21日推出），前后經過6個月時間。

14nm LPU工藝節(jié)點是三星的第三代14nm技術，與早期的14nm工藝線相比，LPU節(jié)點的性能提高了15％。這種增量擴張是晶圓制造業(yè)務中的創(chuàng)新技術。此外，三星提到了EUV光刻與現(xiàn)有的氬氟化光刻（ArF）之間的區(qū)別。三星的8nm節(jié)點最后將擴展非EUV生產，嚴格地將性能提升在10nm以上。除此之外，三星認為，面罩計數(shù)和成本將會走高，無法證明非EUV技術的合理性，而任何未來非EUV節(jié)點的整體性能將會比公司計劃的8nm更差。顯然，如果EUV不及時推出，代工廠將嘗試提出進一步擴展現(xiàn)有技術的方法。但三星已在非EUV光刻技術上進行了至少10年光景，同時采用多圖案化和浸沒式光刻技術來補償EUV持續(xù)開發(fā)的困境。

此外，GlobalFoundries也曾談到其在FD-SOI上的投資，該公司預計將在FD-SOI上將eMRAM和RF硅片推向市場。眾所周知，蘋果手機的芯片代工訂單再次被臺積電搶奪，三星將臺積電視為芯片代工最大勁敵，三星特意從芯片制造業(yè)務中分拆組建新的芯片代工業(yè)務部門，并計劃將在今年第四季度投入工廠運營，可以看出，三星每走一步都要與全球最大的晶圓代工企業(yè)臺積電展開一場激烈競爭。

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