此次,IBM磁帶驅(qū)動(dòng)器研究人員一直與Sony Storage Media Solutions(索尼存儲(chǔ)介質(zhì)解決方案)進(jìn)行合作開(kāi)發(fā)。工程開(kāi)發(fā)實(shí)現(xiàn)了201Gbit/平方英寸的存儲(chǔ)密度。
其技術(shù)包括:
用于數(shù)據(jù)通道的新信號(hào)處理算法是基于噪聲預(yù)測(cè)檢測(cè)原理,憑借48納米寬的隧道磁電阻(TMR)讀取器使得每英寸818000bit線性密度的可靠操作成為可能。
一套綜合的高級(jí)伺服控制技術(shù),能夠?qū)崿F(xiàn)磁頭定位,精度優(yōu)于7納米。
使用48納米寬的TMR硬盤(pán)驅(qū)動(dòng)器讀磁頭,實(shí)現(xiàn)磁道密度為每英寸246200個(gè)磁道,比TS1155磁帶驅(qū)動(dòng)器提高了了13倍。
新的低摩擦次磁頭技術(shù)允許使用非常光滑的磁帶介質(zhì)。
IBM Fellow Evangelos Eleftheriou稱“與目前使用鋇鐵氧體的商用膠帶相比,該磁帶預(yù)計(jì)要花費(fèi)更多的成本,但潛在的極高容量可以降低每TB的成本,將會(huì)適用于云上的冷存儲(chǔ)?!?/p>
大藍(lán)認(rèn)為,這保障了磁帶技術(shù)線路圖的可行性再延續(xù)十年。所以在未來(lái)8到9年,它有信心將LTO Ultrium容量路線圖拓展到LTO-12和190+TB。