今年是Tick 模式的一年，按照慣例32納米技術將在2009年第4季度和2010年年初這段時間里開始量產。

英特爾32納米技術，半導體業(yè)界的新路標

那么英特爾32納米技術和英特爾45納米技術相比又有什么巨大進步呢？

先來看第一個問題，英特爾32納米技術和之前的45納米技術相比，有以下這些巨大的進步：

1. 采用了第二代高-K金屬柵極晶體管技術：業(yè)界最短的柵極長度

– 用于高K材料的等價氧化物(電介質)的厚度從45納米工藝時的1納米縮小至0.9納米，柵極長度縮小到了30納米，所以單位面積可以集成更多晶體管。處理器的同比封裝尺寸將是45nm產品的70%。

– 采用了第4代應變硅，電子在晶體管中的流通更順暢，阻力更小，耗電更低。

2. 業(yè)界最窄的柵極間距

– 晶體管的柵極間距只有112.5納米，為目前業(yè)界最緊湊的柵極間距。

– 雖然間距更窄了，但是漏電流卻得到了更有效的控制，和45納米技術相比，PMOS型晶體管的漏電量減少到原來的十分之一，NMOS型晶體管的漏電量降到原來的五分之一。無效功耗降到更低的水平。

3. 目前半導體晶體管技術中最為有效的晶體管驅動電流，高能效。

上面三項技術都創(chuàng)造了半導體業(yè)界的最新紀錄。

4. 在臨界層上使用浸沒式光刻技術，蝕刻電路更加精細和精確。

5. 晶體管性能提升22%，令人側目。

6. 9個銅導線低-k互連層，更低電阻率。

7. 無鉛、無鹵素的封裝，綠色產品，更加環(huán)保。

英特爾32納米技術的優(yōu)勢和成熟度，讓32納米處理器能以不低于45納米時代的速度高良率量產，甚至可以超過45納米的量產速度。英特爾公司將再次向人們詮釋"摩爾定律"的神奇之處—-最新的32納米處理器更小，更快，更強，更高能效。

集成圖形芯片的32納米處理器 Clarkdale

依照慣例，英特爾會把最新最先進的制造工藝運用于處理器的生產和制造，32納米到之時也不例外。英特爾32納米技術將應用于研發(fā)代號為Westmere的系列處理器產品，其中有一類研發(fā)代碼為Clarkdale的新處理器，不但包含CPU內核，還把英特爾的圖形芯片集成在處理器的封裝中，采用的是雙芯片方案：

Clarkdale = 32納米的Nehalem + 45納米英特爾圖形芯片/內存控制器

Clarkdale處理器增加了圖形芯片和內存控制器，傳統(tǒng)雙芯片芯片組(北橋芯片+南橋芯片)的平臺也就不適用了，因此英特爾設計了平臺的單芯片方案—-英特爾 5x系列芯片組(目前的X58除外)，如Intel P55，沒有南北橋之分了。

投資70億美元，預計將有4座32納米工廠投產

每次制造工藝升級改造的投入都是巨大的，英特爾在未來一年半到兩年內上馬四座晶圓芯片廠。位于美國俄勒岡州的D1D芯片廠 和D1C芯片廠，D1D目前已經試產，D1C將于2009年第四季度投入使用。2010年，將再建兩座芯片廠—-亞利桑那州的Fab 32和位于新墨西哥州的Fab 11X。

由此可見，32納米時代將如期而至，雖然今天45納米還如日中天，但是它和它的前輩65納米一樣，最終只能讓位于后起之秀、更加先進的32納米。

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