光刻膠作為芯片制造的關鍵材料，其原理類似于膠卷的曝光過程。芯片制造過程中，晶圓表面會涂上一層光刻膠，并通過掩膜版將電路圖投影在其上。經過光線照射曝光和一系列處理后，晶圓上便形成了芯片所需的電路結構。

然而，光刻膠的核心原料和配方技術長期以來被國外企業(yè)嚴格封鎖，目前我國所需的光刻膠九成以上依賴進口。

該團隊此次研發(fā)的T150A光刻膠對標國際先進的KrF光刻膠系列。相較于國外同類產品，T150A在光刻工藝中展現了優(yōu)異性能，其極限分辨率達120納米，具有更大的工藝寬容度和更高的穩(wěn)定性，同時表現出優(yōu)越的留膜率和刻蝕工藝效果。

驗證結果表明，T150A在密集圖形刻蝕過程中能保持下層介質側壁的垂直度，進一步證明了其在半導體光刻工藝中的出色表現。

團隊在電子化學品領域深耕二十余載，立足于關鍵光刻膠底層技術研究，致力于半導體專用高端電子化學品原材料和光刻膠的開發(fā)，并以新技術路線為半導體制造開辟新型先進光刻制造技術，同時為材料的分析與驗證提供全面的手段。

團隊負責人表示：“以光刻技術的分子基礎研究和原材料的開發(fā)為起點，最終獲得具有自主知識產權的配方技術，這只是個開始。我們團隊還會發(fā)展一系列應用于不同場景下的KrF與ArF光刻膠，致力于突破國外卡脖子關鍵技術，為國內相關產業(yè)帶來更多驚喜?！?/p>

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