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標(biāo)簽:破曉

2025年盤(pán)點(diǎn):AI驅(qū)動(dòng)下的新一代存儲(chǔ)介質(zhì)們-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺(tái)

2025年盤(pán)點(diǎn):AI驅(qū)動(dòng)下的新一代存儲(chǔ)介質(zhì)們

在ChatGPT等大模型廣泛應(yīng)用的今天,企業(yè)對(duì)存儲(chǔ)介質(zhì)和架構(gòu)也有了新需求——要速度快、容量大、能耗低、壽命長(zhǎng)、還能適應(yīng)多場(chǎng)景需求。 傳統(tǒng)的NAND Flash、DRAM已經(jīng)無(wú)法完全滿足AI、IoT、車(chē)載系統(tǒng)等對(duì)存儲(chǔ)的“全能”需求。加上今年新...

崔 歡歡崔 歡歡AI與大模型
“破曉”時(shí)刻!復(fù)旦大學(xué)研制出全球最快閃存器件,開(kāi)啟亞納秒級(jí)存儲(chǔ)新時(shí)代-DOIT-數(shù)據(jù)產(chǎn)業(yè)媒體與服務(wù)平臺(tái)

“破曉”時(shí)刻!復(fù)旦大學(xué)研制出全球最快閃存器件,開(kāi)啟亞納秒級(jí)存儲(chǔ)新時(shí)代

4月17日,復(fù)旦大學(xué)集成芯片與系統(tǒng)全國(guó)重點(diǎn)實(shí)驗(yàn)室、芯片與系統(tǒng)前沿技術(shù)研究院的周鵬-劉春森團(tuán)隊(duì)在集成電路領(lǐng)域取得關(guān)鍵突破,成功研制出“破曉(PoX)”皮秒閃存器件,其擦寫(xiě)速度可提升至亞 1 納秒(400 皮秒),相當(dāng)于每秒可執(zhí)行 25 億次操...

崔 歡歡崔 歡歡先進(jìn)存力