6月30日，中國(guó)閃存峰會(huì)在北京舉行 。 武漢新芯執(zhí)行副總裁、商務(wù)長(zhǎng)陳少民先生在參與“大存儲(chǔ)產(chǎn)業(yè)和中國(guó)力量”對(duì)話中表示，武漢新芯選擇3D NAND，是中國(guó)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)彎道超車的機(jī)遇。 武漢新芯執(zhí)行副總裁、商務(wù)長(zhǎng)陳少民先生。 陳少民先生指出，大存...
謝 世誠(chéng)業(yè)界動(dòng)態(tài) 
美光今年初宣布其SSD開(kāi)始采用3D NAND技術(shù)，本周二在臺(tái)北國(guó)際電腦展上終于推出了兩款基于3D NAND的產(chǎn)品——美光1100 SATA SSD和2100 PCIe NVMe SSD(目前仍處測(cè)試期)，前者預(yù)計(jì)7月中旬發(fā)售，后者則計(jì)劃夏末...
新光刻技術(shù)：交替堆疊沉積 總之，3D NAND和現(xiàn)有平面NAND表現(xiàn)出了極大背離。在2D NAND中，它的制程是依賴于高級(jí)光刻技術(shù)。雖然3D NAND制程中采用了后緣40納米到20納米的設(shè)計(jì)規(guī)格。光刻技術(shù)仍在使用，但它不再是最關(guān)鍵的環(huán)節(jié)。因...
崔 歡歡智能算力 2013年，三星發(fā)售全球首款3D NAND設(shè)備，在IC(集成電路)業(yè)界達(dá)到了一個(gè)里程碑?，F(xiàn)在，經(jīng)過(guò)一些延遲與不確定性后，英特爾，美光，海力士，閃迪/東芝二人組對(duì)3D NAND最終加大產(chǎn)能或進(jìn)行取樣。 相對(duì)現(xiàn)有平面或2D NAND，3D NA...
崔 歡歡智能算力 