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Memblaze的新品正在研發(fā)當(dāng)中，包括新一系列的PCIe/NVMe接口的PBlaze4閃存卡，Memblaze新品家族中還有一個FlashRAID控制器，這個PCIe 3.0控制器將使得一個存儲設(shè)備支持12個NVMe SSD（有4TB、8TB和16TB三種配置）。這個靈活的配置將提供全局磨損平衡功能已保證設(shè)備壽命最大化以及數(shù)據(jù)的安全。Memblaze在全球范圍內(nèi)獲得了巨大的成功，他們的產(chǎn)品進入美國市場的同時也將面臨更多的競爭。
Memblaze第一個競爭力來源于其琴鍵技術(shù)，這項技術(shù)能夠提供多樣化的容量配置選擇，這在PCIe閃存卡市場上是不多見的。此外，Memblaze還提供了細粒度的控制以及產(chǎn)品運行狀態(tài)監(jiān)控和MemSphere管理工具。用戶可以使用GUI管理工具輕松的查看板卡的運行狀態(tài)，并實現(xiàn)多種控制功能。
Memblaze的SSD產(chǎn)品規(guī)格都是80%設(shè)備使用率，用戶可以對PBlaze3L進行安全擦寫并修改這一參數(shù)。此外，還有根據(jù)客戶的應(yīng)用需求，還有一些其他定制化的提升性能和耐擦寫能力的功能。高性能模式能夠提高SSD的性能但是會造成容量的浪費。
我們的測試中，80%設(shè)備使用率（高性能）模式下其性能非常高，是PCIe SSD市場上的領(lǐng)導(dǎo)者。混合隨機讀的測試中PBlaze3L僅落后于美光的P420m（在隊列深度為256的條件下其性能表現(xiàn)是最好的），在隊列深度處于32～128之間（這也是實際應(yīng)用中最常見的場景）時，PBlaze3L的性能也是領(lǐng)先于其他產(chǎn)品的。我們并沒有發(fā)現(xiàn)在100隨機讀環(huán)境（超負(fù)載的情況下）中不同產(chǎn)品有巨大的差別。
在超負(fù)荷隨機寫負(fù)載環(huán)境中，PBlaze3L 的成績一直處于第二的位置，PBlaze3L 在隨機寫（包括低性能和高性能兩種模式）中都有著出色的表現(xiàn)，而在混合讀寫環(huán)境中的測試，PBlaze3L 的成績更是遠超其他參與測試的產(chǎn)品。
在純隨機讀/寫環(huán)境中，PBlaze3L 的成績都不是很顯眼，在連續(xù)讀的測試中PBlaze3L 落后于其他的SSD產(chǎn)品，在連續(xù)寫測試中位于第二位。
PBlaze3L主要優(yōu)勢在于混合連續(xù)讀/寫。在服務(wù)器工作負(fù)載的測試中，PBlaze3L的OLTP和文件服務(wù)器測試成績都非常好，但是在純讀測試中落到了第三位。
最終Memblaze保證了性能不隨容量的變化而變化（一般情況下容量越低，產(chǎn)品性能也會隨之降低）。在掉電保護以及壞NAND 上數(shù)據(jù)重構(gòu)上，Memblaze都有技術(shù)保障。此外，Memblaze提供三年質(zhì)保，略低于5年質(zhì)保的標(biāo)準(zhǔn)�？偟膩碚f，在性能和功能上，PBlaze3L都給了我們深刻的印象，符合TweakTown最佳功能獎的標(biāo)準(zhǔn)（ the TweakTown Best Features Award.）
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